Транзисторы 2N5551 - кремниевые, высокочастотные,высоковольтные, усилительные структуры - n-p-n.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.
Постоянная рассеиваемая мощность (Рк т max) - 0,650 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока (fh21э) транзистора для схем с общим эмиттером - 80 МГц;
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер: 160 В.
Максимальное напряжение коллектор - база - 180 В.
Максимальное напряжение эмиттер - база - 6 В.
Коэффициент передачи тока:
У транзисторов 2N5551A - от 80 до 160.
У транзисторов 2N5551B - от 120 до 180.
У транзисторов 2N5551C - от 150 до 250.
Максимальный постоянный ток коллектора - 0,6А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50 мА, базы 5 мА - не выше 0,5 В.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50 мА, базы 5 мА - не выше 1 В.
Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25° по Цельсию и напряжению коллектор-база 180 В. не более 0,1 мА.
Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 4 В не более - 0,1 мА.
