Расширенный поиск

FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В, 25А, 312Вт, встроенный диод, корпус to-3p

FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В, 25А, 312Вт, встроенный диод, корпус to-3p
74,0 руб.
Есть в наличии 49 штук/и
  • Версия для печати
  • Задать вопрос о товаре
  • Код товара: 2555
  • Вес товара,(кг):0.005
Описание товара

Биполярный транзистор с изолированным затвором FGA25N120ANTD для систем индукционного нагрева. Особенностью транзистора является устойчивость к лавинному нарастанию мощности.

Транзистор выдерживает 450 мДж лавинной мощности, что позволяет обеспечить безопасную работу в любых условиях (скачки напряжения в сетях переменного тока, выход из строя какого-либо узла и пр.).

Транзистор рассчитан на работу при напряжениях до 1200 В и выпускается в корпусе ТО-3 по бессвинцовой технологии.

Технические параметры

Структура IGBT+диод
Максимальное напряжение кэ, В: 1200
Максимальный ток кэ при 25°С, A: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Управляющее напряжение, В: 5.5
Мощность макс., Вт: 312
Температурный диапазон, °С -55…+150
Дополнительные опции: встроенный быстродействующий диод
Корпус to-3p

Изображения
  • FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В, 25А, 312Вт, встроенный диод, корпус to-3p
С данным товаром также покупают:
USB адаптер Bluetooth CSR V4.0 Dongle Adapter повышенной дальности 20м, чип CSR8510, 3Mbps
198,0 руб.
Сверхяркий светодиод 18W белый цвет (5800-6500K, 1800 lm, 220-240В AC) 19*19мм
120,0 руб.
Держатель для стеклянного предохранителя 5*20мм для печатной платы
16,0 руб.
Конденсатор электролитический 10000 мкФ 25 В 18*35мм ECAP
69,0 руб.
Конденсатор электролитический 2200 мкФ 50 В 16*26мм ECAP
44,0 руб.
Отзывы:
Ваш отзыв может быть первым.
Написать отзыв