P-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Используется в коммутаторах аккумуляторных батарей, переключателях нагрузки и т.д.
Корпус: SOIC-8-3.9
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 16 А
Сопротивление закрытого канала при диапазоне Uзатв(ном): 5,4 - 6,6 МОм
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0066 Ом
Максимальное напряжение затвора: 20В
Заряд затвора при Uзи = 4,5 В, (тип.): 31 нКл
Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт