Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные усилительные. Производитель - Китай. Выпускаются в пластмассовом корпусе TO-92, с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Коэффициент передачи тока:
У транзисторов класса B - от 85 до 160, класса С - от 120до 200, класса D - от 160 до 300.
Граничная частота передачи тока:
У транзистора S8050 - 150 МГц.
У транзистора SS8050 - 190 МГц.
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 25 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) - У транзистора S8050 - 0,5 А, у SS8050 - 1,5 A.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА - 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 500мА, базы 50мА - - не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора- У транзистора S8050 - 0.3 Вт., у SS8050 - 1Вт.
Отечественый аналог SS8050 - КТ6114Б, при использовании в УЗЧ и УПТ можно менять на КТ815Г, КТ817Г.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 40 в - не более 0,1 мА.
Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в - не более 0,1 мА.
