Расширенный поиск

SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement Mode FET

SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement Mode FET
3,0 руб.
Есть в наличии 485 штук/и
  • Версия для печати
  • Задать вопрос о товаре
  • Код товара: 2976
  • Корпус: SOT23
  • Кодовое обозначение на корпусе: A1SHB
  • Вес, грамм: 0,1
  • Производитель: Китай
Описание товара

Наименование прибора: SI2301 маркировка A1SHB 
Тип транзистора: MOSFET 
Полярность: P 
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.2 
Максимальная температура канала (Tj): 150 
Время нарастания (tr): 36 
Выходная емкость (Cd), pf: 223 
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.13 
Тип корпуса: SOT23

Близкие аналоги: AO3401, AO3403, AO3407A, SSM3J332R, UT3401, UT3401Z, UT6401.

Изображения
  • SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement Mode FET
  • SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement Mode FET
С данным товаром также покупают:
Конденсатор электролитический 1000 мкФ 10 В 8*12мм
6,0 руб.
Конденсатор электролитический 1000 мкФ 25 В 10*20мм LOW ESR Cheng
11,0 руб.
Модуль лазерного диода 5мвт 650нм, 3-5 вольт, красная линия
196,0 руб.
10UF 16В танталовый конденсатор, 3216 SMD , A-тип, точность ± 10%
6,0 руб.
Отзывы:
Ваш отзыв может быть первым.
Написать отзыв