Описание товара
P-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Используется в коммутаторах аккумуляторных батарей, переключателях нагрузки и т.д.
Корпус: SOIC-8-3.9
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 20 А
Сопротивление закрытого канала при диапазоне Uзатв(ном): 3,9 - 4,6 МОм
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0046 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора: 1,3 - 2,4 В
Максимальное напряжение затвора: 20 В
Заряд затвора: 165 нКл
Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
Отзывы:
Ваш отзыв может быть первым.
